很多實(shí)驗(yàn)人員第一次做細(xì)胞電轉(zhuǎn)時(shí)，會(huì)把注意力集中在轉(zhuǎn)染效率上。

但實(shí)際實(shí)驗(yàn)中，更常見的問題往往是：電轉(zhuǎn)之后細(xì)胞死得太多。

顯微鏡下可以看到細(xì)胞數(shù)量明顯減少，部分細(xì)胞漂浮，貼壁細(xì)胞恢復(fù)緩慢，甚至第二天幾乎沒有可繼續(xù)培養(yǎng)的細(xì)胞。

出現(xiàn)這種情況，并不能簡單理解為“電轉(zhuǎn)傷細(xì)胞"。

電穿孔本身確實(shí)會(huì)對(duì)細(xì)胞膜造成短暫影響，但在合適條件下，細(xì)胞膜可以逐漸恢復(fù)。如果大量細(xì)胞死亡，通常說明電刺激強(qiáng)度、樣品狀態(tài)或者操作流程中存在不匹配。

首先需要考慮的是脈沖強(qiáng)度。

電壓過高、脈寬過長或者脈沖次數(shù)過多，都可能增加細(xì)胞損傷。

尤其對(duì)于原代細(xì)胞、T細(xì)胞、NK細(xì)胞、干細(xì)胞等敏感樣本，參數(shù)稍微變化，就可能帶來明顯的存活率差異。

第二個(gè)容易被忽略的問題，是細(xì)胞自身狀態(tài)。

如果細(xì)胞在電轉(zhuǎn)之前已經(jīng)處于應(yīng)激狀態(tài)，即使使用同樣的程序，也可能比正常狀態(tài)下更容易死亡。

例如細(xì)胞密度不合適、消化時(shí)間過長、離心條件過強(qiáng)或者重懸過程中操作過于劇烈，都可能降低細(xì)胞耐受能力。

第三個(gè)問題，是電轉(zhuǎn)前后操作時(shí)間。

細(xì)胞重懸完成后，如果在室溫環(huán)境下放置太久，再進(jìn)行電轉(zhuǎn)，結(jié)果可能發(fā)生變化。

電轉(zhuǎn)完成后，如果遲遲沒有轉(zhuǎn)移到合適的恢復(fù)體系中，也可能影響細(xì)胞后續(xù)恢復(fù)。

因此，一個(gè)比較穩(wěn)定的流程應(yīng)該盡量標(biāo)準(zhǔn)化。

從細(xì)胞準(zhǔn)備、離心、重懸、電轉(zhuǎn)，到電轉(zhuǎn)后的恢復(fù)和培養(yǎng)，每一步的時(shí)間都盡量保持一致。

如果目前使用的程序?qū)е录?xì)胞死亡率明顯偏高，可以優(yōu)先從降低刺激強(qiáng)度開始，而不是同時(shí)修改多個(gè)參數(shù)。

例如先適當(dāng)降低電壓，觀察細(xì)胞存活和轉(zhuǎn)染效率變化；如果效率下降過多，再考慮調(diào)整脈寬或者脈沖組合。

實(shí)驗(yàn)優(yōu)化的關(guān)鍵不是一次找到所謂的“最佳參數(shù)"，而是通過小范圍對(duì)照逐漸縮小參數(shù)區(qū)間。

對(duì)于長期開展細(xì)胞轉(zhuǎn)染、基因編輯或者RNA遞送實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)室來說，電轉(zhuǎn)設(shè)備能否提供靈活的脈沖控制，對(duì)后期參數(shù)優(yōu)化非常重要。

真正穩(wěn)定的電轉(zhuǎn)條件，應(yīng)該是在保證目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)入細(xì)胞的同時(shí)，讓足夠數(shù)量的細(xì)胞能夠恢復(fù)并繼續(xù)完成后續(xù)實(shí)驗(yàn)。