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誠信經(jīng)營質(zhì)量保障價(jià)格合理服務(wù)貼心很多研究人員剛開始接觸電穿孔實(shí)驗(yàn)時(shí),會(huì)首先關(guān)注一個(gè)問題:電壓到底應(yīng)該設(shè)置多少?
實(shí)際上,電穿孔并不是簡單地找到一個(gè)電壓數(shù)值就能完成參數(shù)優(yōu)化。
影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果的因素包括電壓、脈沖寬度、脈沖次數(shù)、細(xì)胞類型、遞送物類型以及緩沖體系等多個(gè)方面。因此,當(dāng)實(shí)驗(yàn)出現(xiàn)效率偏低或者細(xì)胞死亡較多時(shí),更適合采用系統(tǒng)排查的方法,而不是不斷增加電壓。
參數(shù)調(diào)整之前,首先應(yīng)該明確當(dāng)前實(shí)驗(yàn)的主要問題。
如果表現(xiàn)為細(xì)胞存活率較高,但陽性率明顯偏低,通常說明當(dāng)前處理?xiàng)l件可能不足以實(shí)現(xiàn)理想的遞送。
如果陽性率已經(jīng)比較高,但細(xì)胞大量死亡,則說明電脈沖條件可能過強(qiáng)。
另外還有一種常見情況:不同批次之間結(jié)果差異很大。這種情況下就不能只調(diào)整電壓,而應(yīng)該同時(shí)排查細(xì)胞狀態(tài)、操作流程以及設(shè)備參數(shù)的一致性。
不同問題需要采用不同的優(yōu)化方向。
電脈沖作用的核心,是使細(xì)胞膜產(chǎn)生暫時(shí)性通透。
在一定范圍內(nèi),提高電場(chǎng)強(qiáng)度可能有助于提高膜通透程度,但是超過細(xì)胞耐受范圍之后,膜損傷可能變得不可逆。
這也是為什么部分實(shí)驗(yàn)在提高電壓后,短時(shí)間檢測(cè)到的導(dǎo)入效率似乎增加,但培養(yǎng)一段時(shí)間之后有效細(xì)胞數(shù)量反而減少。
因此評(píng)價(jià)電穿孔條件時(shí),不建議只看轉(zhuǎn)染率,還應(yīng)該結(jié)合細(xì)胞存活率、恢復(fù)情況以及后續(xù)功能狀態(tài)綜合判斷。
除了電壓之外,脈沖持續(xù)時(shí)間也會(huì)明顯影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
較短脈沖和較長脈沖對(duì)細(xì)胞膜產(chǎn)生的作用并不相同。
尤其針對(duì)原代細(xì)胞、免疫細(xì)胞等敏感樣本,脈沖持續(xù)時(shí)間的微小變化都有可能改變細(xì)胞耐受情況。
因此在優(yōu)化過程中,可以在相對(duì)合理的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)整脈沖時(shí)間,而不是一次性大范圍改變多個(gè)參數(shù)。
每次只調(diào)整少數(shù)變量,更容易判斷真正影響結(jié)果的因素。
質(zhì)粒DNA、mRNA以及CRISPR相關(guān)RNP復(fù)合物的理化性質(zhì)存在差異。
因此即使使用同一種細(xì)胞,不同遞送對(duì)象也未必適合相同的電穿孔參數(shù)。
例如質(zhì)粒DNA通常分子較大,其進(jìn)入細(xì)胞以及后續(xù)表達(dá)過程與mRNA存在明顯區(qū)別;RNP則更多關(guān)注編輯效率、細(xì)胞活率以及后續(xù)功能狀態(tài)。
如果直接把某篇文獻(xiàn)中的參數(shù)照搬到另外一種遞送體系中,實(shí)驗(yàn)結(jié)果出現(xiàn)差異并不意外。
文獻(xiàn)參數(shù)更適合作為起點(diǎn),而不是最終答案。
對(duì)于新的細(xì)胞體系,可以先根據(jù)細(xì)胞類型和已有資料確定一個(gè)基礎(chǔ)條件,再圍繞該條件設(shè)計(jì)小范圍參數(shù)矩陣。
例如分別調(diào)整幾個(gè)相鄰電壓條件,同時(shí)保持脈沖寬度和其他條件一致;隨后再根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果繼續(xù)調(diào)整脈沖時(shí)間或者其他變量。
這種方法能夠幫助研究人員逐漸縮小參數(shù)范圍。
實(shí)驗(yàn)記錄也非常重要。
建議記錄細(xì)胞狀態(tài)、細(xì)胞數(shù)量、遞送物濃度、緩沖體系、電轉(zhuǎn)杯規(guī)格、電壓、脈沖時(shí)間以及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
當(dāng)數(shù)據(jù)積累到一定程度之后,就能夠比較清楚地判斷適合當(dāng)前樣本的參數(shù)窗口。
威尼德 V-leader 電穿孔儀可用于不同細(xì)胞和分子遞送實(shí)驗(yàn),并可根據(jù)不同實(shí)驗(yàn)需求進(jìn)行脈沖參數(shù)設(shè)置。
電穿孔參數(shù)優(yōu)化的核心不是尋找所謂的“萬能參數(shù)",而是圍繞具體樣本建立屬于自己的穩(wěn)定實(shí)驗(yàn)窗口。